Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0821
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.82.80
Vorübergehend ausverkauft
- 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 25. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.656 | CHF.83.02 |
| 100 - 200 | CHF.1.414 | CHF.70.60 |
| 250 + | CHF.1.333 | CHF.66.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0821
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFB9N60A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFB9N60A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFB9N60A von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 9,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB9N60APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik vorgesehen ist. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Lötmontageanwendungen geeignet ist. Das Gerät wurde für den Einsatz entwickelt, bei dem eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine moderate Strombelastbarkeit in Komponentenbaugruppen erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 9,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaftes Lasttreiben • 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen • Die Verlustleistung von 170 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Kopfraum • 49 nC typische Gate-Ladung bei Vgs 30 V erleichtert vorhersehbare Antriebszeit • Ausgelegt für 150 °C maximale Betriebstemperatur toleriert erhöhte Verbindungsbedingungen
Anwendungen
• Geeignet für Netzfrequenz-Schaltnetzteile • Ideal für industrielle Motorantriebs-Gate-Stufen • Verwendet mit Hochspannungs-DC-DC-Wandler-Topologien • Kann für Leistungsbremsung und Snubber-Netzwerke verwendet werden • Wird für Labor- und Prototyping verwendet, wo die Durchsteckmontage bevorzugt wird
Welche Gate-Antriebsbeschränkungen sollte ich für eine zuverlässige Schaltung berücksichtigen?
Die Antriebsspannungen sollten 30 V in Bezug auf die Quelle nicht überschreiten, und eine Gate-Ladung von ca. 49 nC definiert den erforderlichen Treiberstrom und das Schalttiming.
Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Leistung unter kontinuierlicher Last aus?
Bei 170 W Pd ist eine Kühlung erforderlich, um die Sperrschichttemperatur unter der Grenze von 150 °C zu halten und den angegebenen kontinuierlichen Ablassstrom ohne thermische Abstufung zu erreichen.
Welche Befestigungsmethode wird für mechanisch stabile Verbindungen empfohlen?
Die Durchstecklötmontage im TO-220AB-Gehäuse sorgt für einen robusten mechanischen und thermischen Kontakt, der für wiederholte thermische Zyklen geeignet ist.
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann er betrieben werden?
Es ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen, wenn das thermische Design geeignet ist.
Verwandte Links
- Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220
- ROHM RX3P10BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 189 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 170 W, 3-Pin TO-220