Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0821
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.84.55
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.691 | CHF.84.47 |
| 100 - 200 | CHF.1.439 | CHF.71.77 |
| 250 + | CHF.1.355 | CHF.67.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0821
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRFB9N60A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRFB9N60A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7 mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 12 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin TO-220
- ROHM RX3P10BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 189 W, 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 170 W, 3-Pin TO-220