Vishay IRFS9N60A Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 178-0850
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.92.90
- Zusätzlich 600 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF.1.858 | CHF.92.72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0850
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS9N60APBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRFS9N60A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRFS9N60A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFS9N60A von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 9,2 A – IRFS9N60APBF
Merkmale und Vorteile:
• 9,2 A kontinuierlicher Ablassstrom für gleichmäßiges Lastmanagement
• 750 mΩ Einschaltwiderstand minimiert Leitungsverluste
• 49 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 170 W Verlustleistung unterstützt erhöhten Leistungsdurchsatz
• 150 °C maximale Sperrschichttemperatur für Hochtemperaturbetrieb
Anwendungen
• Ideal für Hochspannungswechselrichterstufen in industriellen Antrieben
• Wird für Schaltmotorsteuerungen verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für die Leistungsfaktorkorrektur von Front-End-Schaltkreisen verwendet werden
Welches Montageformat ist für die Montage erforderlich?
Welche Gate-Grenzwerte müssen beachtet werden, um Schäden zu vermeiden?
Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Leistung aus?
Welche Umweltspezifikationen beeinflussen die Materialauswahl?
Verwandte Links
- Vishay IRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 70 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 170 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263
