Vishay IRFS9N60A N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 178-0850
Herst. Teile-Nr.:: IRFS9N60APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFS9N60A N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRFS9N60APBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	IRFS9N60A
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	750mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	49nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-30V, +30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	10.67mm
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	9.65mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie IRFS9N60A
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 10.67mm
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 9.65mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Leistungs-MOSFET der Serie IRFS9N60A von Vishay, 600 V Drain-Quellenspannung, 9,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFS9N60APBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und ist für den Einsatz in Leistungsumwandlungs-, Schalt- und Hochspannungsschaltkreisen vorgesehen, die eine Kombination aus Strombelastbarkeit und Spannungsfestigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 600-V-Ableitstrom ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9,2 A Dauerstromfähigkeit unterstützt moderate Lasten
• 750 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 49 nC optimiert die Schaltdynamik
• 30-V-Gate-Schwelle ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Wird für Wechselrichter und Umrichter für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für industrielle Leistungsregler verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungs-Beleuchtungs-Vorspannungsausführungen

Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von thermischen Umgebungen.

Wie ist die Komponente für die Montage auf Leiterplatten verpackt?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und die Wärmeableitung und die automatisierte Montage erleichtert.

Welche Gate-Drive-Spannungsgrenzwerte sollten beachtet werden?

Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt 30 V, die nicht überschritten werden sollte, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.

Verwendet das Gerät den Betrieb im Enhancement- oder Depletion-Modus?

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle für die Leitfähigkeit erfordert.