Vishay IRFS9N60A Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
178-0850
Herst. Teile-Nr.:
IRFS9N60APBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IRFS9N60A

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

750mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65mm

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFS9N60A von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 9,2 A – IRFS9N60APBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage in Stromversorgungsbaugruppen vorgesehen, bei denen Hochspannungsfähigkeit und robuste thermische Handhabung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 600 V Drain-Spannungsfestigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 9,2 A kontinuierlicher Ablassstrom für gleichmäßiges Lastmanagement
• 750 mΩ Einschaltwiderstand minimiert Leitungsverluste
• 49 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 170 W Verlustleistung unterstützt erhöhten Leistungsdurchsatz
• 150 °C maximale Sperrschichttemperatur für Hochtemperaturbetrieb

Anwendungen


• Geeignet für SMPS-Primärschalterfunktionen in Netzteilen
• Ideal für Hochspannungswechselrichterstufen in industriellen Antrieben
• Wird für Schaltmotorsteuerungen verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für die Leistungsfaktorkorrektur von Front-End-Schaltkreisen verwendet werden

Welches Montageformat ist für die Montage erforderlich?


Es wird für die Oberflächenmontage in einem TO-263-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, um standardmäßigen wärmeabsaugten Leiterplatten-Fußabdrücken gerecht zu werden.

Welche Gate-Grenzwerte müssen beachtet werden, um Schäden zu vermeiden?


Das Gate darf nicht über ±30 V gegenüber der Quelle hinaus betrieben werden, um eine Überbelastung durch das Gate-Oxid zu verhindern.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Leistung aus?


Mit einer Nennverlustleistung von 170 W und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C sind ausreichendes Leiterplatten-Kupfer und Kühlkörper erforderlich, um die Sperrschichttemperatur unter hoher Belastung aufrechtzuerhalten.

Welche Umweltspezifikationen beeinflussen die Materialauswahl?


Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen und beeinflusst die Löt- und Materialwahl bei der Montage.

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