Infineon AUIRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.55

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.2.31CHF.11.55
25 - 45CHF.2.058CHF.10.28
50 - 120CHF.1.943CHF.9.72
125 - 245CHF.1.806CHF.9.02
250 +CHF.1.67CHF.8.33

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1729
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF3205ZSTRL
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

AUIRF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

Verwandte Links