ROHM RX3P10BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 189 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 266-3871
- Herst. Teile-Nr.:
- RX3P10BBHC16
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 1000 Stück)*
CHF.3’203.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF.3.203 | CHF.3’205.65 |
| 2000 + | CHF.3.129 | CHF.3’125.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-3871
- Herst. Teile-Nr.:
- RX3P10BBHC16
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | RX3P10BBH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 189W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie RX3P10BBH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 189W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.
Bleifreie Beschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM RX3P10BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 189 W, 3-Pin RX3P10BBHC16 TO-220
- ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 170 A 189 W, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 12 A 170 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 12 A 170 W, 3-Pin STP15N95K5 TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFB9N60A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9.2 A 170 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220