ROHM RX3P10BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 189 W, 3-Pin RX3P10BBHC16 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
RX3P10BBHC16
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

RX3P10BBH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

189W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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