ROHM RJ1 N-Kanal 1, SMD MOSFET 100 V Erweiterung / 170 A 189 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 264-878P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1P10BBHTL1
- Marke:
- ROHM
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- 264-878P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1P10BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RJ1 | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 189W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RJ1 | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 189W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Nch 100V 170A TO-263AB Leistungs-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand und hoher Leistung in einem kleinen Gehäuse, geeignet zum Schalten.
Geringer Durchlasswiderstand
Kleines Gehäuse für hohe Leistung (TO263AB)
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
100% UIS-geprüft
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