ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 120 A 135 W, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1

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Herst. Teile-Nr.:
RJ1P07CBHTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RJ1

Gehäusegröße

TO-263AB

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73.0nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

135W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der ROHM Nch 100V 120A TO-263AB Leistungs-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand und hoher Leistung in einem kleinen Gehäuse, geeignet zum Schalten.

Geringer Durchlasswiderstand

Kleines Gehäuse für hohe Leistung (TO263AB)

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

100% UIS-geprüft

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