ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 170 A 189 W, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1
- RS Best.-Nr.:
- 264-878
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1P10BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.6.878
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.6.88 |
| 10 - 99 | CHF.6.19 |
| 100 - 499 | CHF.5.71 |
| 500 - 999 | CHF.5.29 |
| 1000 + | CHF.4.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-878
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1P10BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 189W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 189W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Nch 100V 170A TO-263AB Leistungs-MOSFET mit niedrigem On-Widerstand und hoher Leistung in einem kleinen Gehäuse, geeignet zum Schalten.
Geringer Durchlasswiderstand
Kleines Gehäuse für hohe Leistung (TO263AB)
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
100% UIS-geprüft
Verwandte Links
- ROHM RJ1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 3-Pin TO-263AB
- ROHM RJ1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A, 3-Pin TO-263AB
- ROHM RJ1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A, 3-Pin TO-263AB
- ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 A, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A D2Pak (TO-263AB)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 24 A D2Pak (TO-263AB)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 170 A TO-220AB
- ROHM N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 56 A TO-247N