ROHM RJ1N04BBHT Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 89 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD

RS Best.-Nr.:: 687-400
Herst. Teile-Nr.:: RJ1N04BBHTL1
Marke:: ROHM

ROHM RJ1N04BBHT Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 89 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 687-400
Herst. Teile-Nr.:: RJ1N04BBHTL1
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TO-263AB-3LSHYAD
	Serie	RJ1N04BBHT
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	10.36 mm
	Länge	15.5mm
	Höhe	4.77mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TO-263AB-3LSHYAD
	Serie RJ1N04BBHT
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 10.36 mm
	Länge 15.5mm
	Höhe 4.77mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - RJ1N04BBHTL1

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um einen hervorragenden Wirkungsgrad in anspruchsvollen Anwendungen zu bieten. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 80 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 100 A ist er für effektive Schaltaufgaben in einer Vielzahl von Schaltkreisen ausgelegt und damit ideal für Motorantriebe und DC/DC-Wandler. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5,3 mΩ sorgt dafür, dass der Energieverlust minimiert wird, was zu einem besseren Wärmemanagement und einem zuverlässigen Betrieb unter Bedingungen mit hoher Leistung führt. Dieses Gerät entspricht den RoHS-Normen und erfüllt nicht nur die Umweltanforderungen, sondern gewährleistet auch eine hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit für Endnutzer in verschiedenen Bereichen der Elektronik.

Niedriger Einschaltwiderstand für effektives Energiemanagement und geringere thermische Belastung

Kann kontinuierliche Ablassströme von ±100 A verarbeiten, ideal für Hochleistungsdesigns

Umfassende Tests auf Robustheit, einschließlich 100 % Rg und UIS-Tests

Pb-freie Beschichtung gewährleistet die Einhaltung internationaler Umweltstandards

Halogenfreie Konstruktion trägt zur ökologischen Nachhaltigkeit bei

Robuste Verpackungsspezifikationen, einschließlich geprägtem Band für zuverlässigen Transport und Lagerung

Der Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C bietet Flexibilität im Betrieb in unterschiedlichen Umgebungen

ROHM RJ1N04BBHT Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 89 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD

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