Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8316
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30LPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.616 | CHF.80.60 |
| 100 - 200 | CHF.1.515 | CHF.75.75 |
| 250 - 450 | CHF.1.374 | CHF.68.53 |
| 500 - 1200 | CHF.1.293 | CHF.64.49 |
| 1250 + | CHF.1.212 | CHF.60.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8316
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30LPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFBE30L ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 800 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es hat I2PAK (TO-262) und D2PAK (TO-263) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 4,1 A.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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