Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.80.35

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.607CHF.80.48
100 - 200CHF.1.533CHF.76.49
250 +CHF.1.449CHF.72.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
180-8304
Herst. Teile-Nr.:
IRF740ALPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.55Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Länge

9.65mm

Höhe

4.83mm

Breite

10.67 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRF740AL ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 400 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 30 V. Es verfügt über ein D2PAK- (TO-263) und I2PAK- (TO-262) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,55 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 10 A.

Qg mit niedriger Gate-Ladung führt zu einfachen Treiberanforderungen

Verbesserte Widerstandsfähigkeit von Gate, Lawinen und dynamischen dV/dt

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom

Verwandte Links