Vishay Einfach N-Kanal Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
180-8304
Herst. Teile-Nr.:
IRF740ALPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Gehäusegröße

TO-263

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.55Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Breite

10.67mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Länge

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740ALPBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in anspruchsvollen thermischen Umgebungen und eignet sich für Designs, die ein Drei-Anschlussklemmen-Gerät mit robuster Spannungsbeständigkeit und moderater Strombelastbarkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Nennstromstärke von 400 V für Hochspannungsschaltanwendungen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung dauerhafter Lasten
• 0,55 Ω Rds(on) für kontrollierte Leitungsverluste
• 125 W Verlustleistung ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• 36 nC typische Gate-Ladung reduziert den Bedarf an Antriebsenergie
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für Standard-Gate-Drive-Kompatibilität

Anwendungen


• Geeignet für primäre Offline-SMPS-Schaltstufen
• Ideal für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise in Netzteilen
• Wird mit Motorsteuerungs-Front-Enden für Antriebe mit niedriger Geschwindigkeit verwendet
• Kann für das Schalten von Vorschaltgeräten in industriellen Beleuchtungen verwendet werden
• Nützlich in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten

Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen und an erhöhten Anschlüssen.

Welchen Verpackungsformfaktor verwendet er für die Leiterplattenmontage?


Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das eine flache Leistungslasche und drei Anschlüsse für die Oberflächenmontage bietet.

Gibt es damit verbundene Umwelt- oder Materialstandards?


Das Gerät entspricht der RoHS 2002/95/EG und entspricht den Werkstoffspezifikationen der IEC 61249-2-21.

Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus der Gate-Ladung?


Mit einem typischen Qg von 36 nC bei Vgs müssen Gate-Treiber ausreichend Überspannungsstrom liefern, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Verzögerung zu erreichen.

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