Vishay Einfach N-Kanal Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8304
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740ALPBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8304
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740ALPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.55Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 10.67mm | |
| Länge | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.55Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 10.67mm | ||
Länge 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740ALPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in anspruchsvollen thermischen Umgebungen und eignet sich für Designs, die ein Drei-Anschlussklemmen-Gerät mit robuster Spannungsbeständigkeit und moderater Strombelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Nennstromstärke von 400 V für Hochspannungsschaltanwendungen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung dauerhafter Lasten
• 0,55 Ω Rds(on) für kontrollierte Leitungsverluste
• 125 W Verlustleistung ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• 36 nC typische Gate-Ladung reduziert den Bedarf an Antriebsenergie
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für Standard-Gate-Drive-Kompatibilität
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung dauerhafter Lasten
• 0,55 Ω Rds(on) für kontrollierte Leitungsverluste
• 125 W Verlustleistung ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• 36 nC typische Gate-Ladung reduziert den Bedarf an Antriebsenergie
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für Standard-Gate-Drive-Kompatibilität
Anwendungen
• Geeignet für primäre Offline-SMPS-Schaltstufen
• Ideal für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise in Netzteilen
• Wird mit Motorsteuerungs-Front-Enden für Antriebe mit niedriger Geschwindigkeit verwendet
• Kann für das Schalten von Vorschaltgeräten in industriellen Beleuchtungen verwendet werden
• Nützlich in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten
• Ideal für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise in Netzteilen
• Wird mit Motorsteuerungs-Front-Enden für Antriebe mit niedriger Geschwindigkeit verwendet
• Kann für das Schalten von Vorschaltgeräten in industriellen Beleuchtungen verwendet werden
• Nützlich in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen und an erhöhten Anschlüssen.
Welchen Verpackungsformfaktor verwendet er für die Leiterplattenmontage?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das eine flache Leistungslasche und drei Anschlüsse für die Oberflächenmontage bietet.
Gibt es damit verbundene Umwelt- oder Materialstandards?
Das Gerät entspricht der RoHS 2002/95/EG und entspricht den Werkstoffspezifikationen der IEC 61249-2-21.
Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus der Gate-Ladung?
Mit einem typischen Qg von 36 nC bei Vgs müssen Gate-Treiber ausreichend Überspannungsstrom liefern, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Verzögerung zu erreichen.
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