Vishay Einfach N-Kanal Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 180-8642
Herst. Teile-Nr.:: IRF740ALPBF
Marke:: Vishay

Vishay Einfach N-Kanal Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 180-8642
Herst. Teile-Nr.:: IRF740ALPBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	400V
	Gehäusegröße	TO-263
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.55Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Breite	10.67mm
	Höhe	4.83mm
	Länge	9.65mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 400V
	Gehäusegröße TO-263
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.55Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Breite 10.67mm
	Höhe 4.83mm
	Länge 9.65mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740ALPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in anspruchsvollen thermischen Umgebungen und eignet sich für Designs, die ein Drei-Anschlussklemmen-Gerät mit robuster Spannungsbeständigkeit und moderater Strombelastbarkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Nennstromstärke von 400 V für Hochspannungsschaltanwendungen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung dauerhafter Lasten
• 0,55 Ω Rds(on) für kontrollierte Leitungsverluste
• 125 W Verlustleistung ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• 36 nC typische Gate-Ladung reduziert den Bedarf an Antriebsenergie
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für Standard-Gate-Drive-Kompatibilität

Anwendungen

• Geeignet für primäre Offline-SMPS-Schaltstufen
• Ideal für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise in Netzteilen
• Wird mit Motorsteuerungs-Front-Enden für Antriebe mit niedriger Geschwindigkeit verwendet
• Kann für das Schalten von Vorschaltgeräten in industriellen Beleuchtungen verwendet werden
• Nützlich in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten

Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen und an erhöhten Anschlüssen.

Welchen Verpackungsformfaktor verwendet er für die Leiterplattenmontage?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das eine flache Leistungslasche und drei Anschlüsse für die Oberflächenmontage bietet.

Gibt es damit verbundene Umwelt- oder Materialstandards?

Das Gerät entspricht der RoHS 2002/95/EG und entspricht den Werkstoffspezifikationen der IEC 61249-2-21.

Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus der Gate-Ladung?

Mit einem typischen Qg von 36 nC bei Vgs müssen Gate-Treiber ausreichend Überspannungsstrom liefern, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Verzögerung zu erreichen.