Vishay IRF740S N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 178-0832
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740SPBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0832
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF740S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF740S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740S von Vishay, 400 V Drain-Source-Spannung, 10 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF740SPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen kontrollierten Gate-Antrieb und eine robuste Leistungsaufnahme erfordern und gleichzeitig den RoHS-Richtlinien entsprechen.
Merkmale und Vorteile:
• 400 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W verbessert den Wärmeverbrauch
• 550 mΩ Rds(on) gleicht Leitungsverluste aus und erleichtert die Steuerung
• 63 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V schützt das Gate-Drive-Design
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W verbessert den Wärmeverbrauch
• 550 mΩ Rds(on) gleicht Leitungsverluste aus und erleichtert die Steuerung
• 63 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V schützt das Gate-Drive-Design
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen
• Ideal für Hochspannungsmotor-Antriebsstufen und Wechselrichter
• Einsatz mit isolierten Gate-Treibern in Wandlern für erneuerbare Energien
• Kann für DC/DC-Wandler verwendet werden, die mit mittleren Strömen arbeiten
• Geeignet für das Energiemanagement auf stark belegten SMT-Boards
• Ideal für Hochspannungsmotor-Antriebsstufen und Wechselrichter
• Einsatz mit isolierten Gate-Treibern in Wandlern für erneuerbare Energien
• Kann für DC/DC-Wandler verwendet werden, die mit mittleren Strömen arbeiten
• Geeignet für das Energiemanagement auf stark belegten SMT-Boards
Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt typische kommerzielle und erweiterte industrielle Bereiche ab.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage auf Platinenebene und die thermische Leistung aus?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse ermöglicht eine gelötete Wärmeübertragung auf Leiterplatten-Kupferwaagen und unterstützt eine höhere Verlustleistung in kompakten SMT-Layouts.
Welche Beschränkungen des Gate-Antriebs sollten Entwickler beachten, um Schäden zu vermeiden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen und potenzielle Ausfälle zu vermeiden.
Wie viele externe Anschlüsse bietet das Gerät für die Schaltungsintegration?
Es bietet drei Pins, die mit Standard-Ein-Kanal-MOSFET-Anschlüssen für Drain, Source und Gate übereinstimmen.
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