Vishay IRF740S Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 542-9406
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-15-868
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.161
Auf Lager
- Zusätzlich 41 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juni 2026
- Zusätzlich 9 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juni 2026
- Zusätzlich 632 Einheit(en) mit Versand ab 06. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.16 |
| 10 - 49 | CHF.2.71 |
| 50 - 99 | CHF.2.54 |
| 100 - 249 | CHF.2.38 |
| 250 + | CHF.1.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 542-9406
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-15-868
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | IRF740S | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie IRF740S | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740S von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740SPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Oberflächenmontageanwendungen in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert als Schalttransistor, der in anspruchsvollen Umgebungen mit erheblichen Spannungen und Strömen umgehen kann, und eignet sich für Anwendungen, bei denen kompakte, platinenmontierte Stromschaltungen erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 400 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 10 A Dauerstrom unterstützt moderate Leistungslasten • Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung • 550 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in niedrigen bis mittleren Stromkreisen • 63 nC-typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Antriebsanforderungen • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter • Wird für Hilfsstromversorgungen in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann für Halbleiterrelais- und Schaltmodule verwendet werden • Wird mit Oberflächenmontagebaugruppen verwendet, die eine TO-263-Montage erfordern
Welche Montageart ist auf einer Leiterplatte erforderlich?
Es wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, das für das Löten auf Leiterplattenebene und die Wärmeleitung zu einem Leiterplatten-Kupferbereich entwickelt wurde.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen von Konstrukteuren beachtet werden?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastung und potenziellen Geräteausfall zu vermeiden.
Wie sollte das Wärmemanagement in Designs behandelt werden?
Die Entwickler sollten eine ausreichende Kupferfläche oder einen Kühlkörper auf der Leiterplatte verwenden, um unter bestimmten Bedingungen bis zu 125 W abzuleiten und die Sperrschichttemperatur unter der Grenze von 150 °C zu halten.
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in einem breiten Bereich von Umgebungstemperaturen.
Welche Eigenschaften beeinflussen die Größe des Schaltantriebs?
Die typische Gate-Ladung von 63 nC bestimmt den Antriebsstrom und die Übergangszeiten, die der Gate-Treiber benötigt, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
Verwandte Links
- Vishay IRF740S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 17 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF840S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF840AS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 9 A, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 400 A 380 W, 8-Pin TO-263