Vishay IRF740A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0831
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740APBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0831
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF740A | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF740A | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740A von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Es bewältigt hohe Drain-to-Source-Spannungen und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Schaltfähigkeit und eine moderate Dauerstromkapazität erfordern, während es auf einem Durchgangsloch-Leiterplattenformat montiert wird.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nenn-Drain-to-Source-Spannung von 400 V bietet Hochspannungs-Schaltfunktionen • 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung • Niedrige Rds(on) von 550 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme in Baugruppen • Typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte thermische Bedingungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Wechselrichter- und Wandler-Leistungsstufen • Ideal für das Schalten von Motorantrieben in Automatisierungssystemen • Verwendet mit Hochspannungsnetzteilen in Prüfgeräten • Kann für Primärschalter mit Schaltnetzteil verwendet werden • Geeignet für Hochspannungsrelais-Ersatz und Schutzschaltkreise
Welche Befestigungsmethode ist für einen zuverlässigen thermischen Kontakt erforderlich?
Es wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere Befestigung des Kühlkörpers über die rückseitige Montagefahne für eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.
Wie tolerant ist das Gate zur Steuerung von Spannungsausgängen?
Das Gate nimmt bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle auf, ermöglicht Standard-Gate-Antriebsspannungen und schützt gleichzeitig vor Überspannungen.
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann es betrieben werden?
Es funktioniert über einen breiten Temperaturbereich von -55 °C bis zu seiner maximalen Anschlussgrenze von 150 °C für Anwendungen mit erhöhten Temperaturen.
Wie verhält sich das Gerät bei harten Schaltvorgängen?
Die spezifizierte Gate-Ladung von 36 nC und die Gerätekapazitäten definieren Schaltverluste und Timing, was bei der Berechnung der Antriebsanforderungen für hart schaltende Topologien hilft.
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