Vishay IRF710 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 1.2 A 36 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0855
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF710PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0855
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- IRF710PBF
- Marke:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF710 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF710 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF710 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 1,2 A – IRF710PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für die Durchsteckmontage gefertigt und bietet eine kompakte, wartungsfähige Option für Boards und Baugruppen, die eine diskrete Transistorschaltung bei erhöhten Spannungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 400 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 3,6 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen • 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt bescheidene Lastströme • 17 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltsteuerung • 36 W Verlustleistung bewältigt intermittierende thermische Lasten • 20 V Gate-Source-Grenzwert ermöglicht gängige Gate-Treiber-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Relais- und Schütztreiberstufen • Ideal für Hochspannungs-Laborstromversorgungen • Wird für die Schaltung von Snubber- und Auslösewiderständen auf der Netzseite verwendet • Kann für die Motorsteuerung in Schwachstrom-Hilfsstromkreisen verwendet werden
Welche Montageart verwendet es und warum ist das nützlich?
Es handelt sich um ein Durchsteckgerät in einem TO-220AB-Gehäuse, das die Kühlung und den Austausch auf wartungsfähigen Baugruppen vereinfacht.
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 17 nC müssen die Treiber genügend Spitzenstrom für die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten liefern und gleichzeitig die Gate-Antriebsenergie verwalten.
Wie hoch ist die maximale sichere Gate-Spannung?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise die Steuerspannungen entsprechend begrenzen sollten, um Schäden zu vermeiden.
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