Vishay IRF740 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0812
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 56.55
Auf Lager
- 1'150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.131 | CHF 56.61 |
| 100 - 200 | CHF 0.97 | CHF 48.68 |
| 250 + | CHF 0.838 | CHF 41.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0812
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF740 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF740 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximale Verlustleistung von 125 W – IRF740PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für herkömmliche Leiterplattenmontage und Kühlkörper geliefert. Das Gerät unterstützt Umgebungen mit hoher Drain-Quellenspannung und eignet sich dort, wo robuste Schaltfunktionen und überschaubare Gate-Treiberanforderungen erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 400 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• 550 mΩ Rds(on) sorgen für vorhersehbare Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC reduziert die Schaltantriebsenergie
• Die maximale Gate-Quelle von 20 V ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmebehandlung
• 550 mΩ Rds(on) sorgen für vorhersehbare Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC reduziert die Schaltantriebsenergie
• Die maximale Gate-Quelle von 20 V ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteil-Ausgangsstufen
• Ideal für das Schalten von Hochspannungs-DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit industriellen Motorantrieben, die hohe Vds erfordern
• Kann für Wechselrichterschaltungen in der Leistungselektronik verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Hochspannungsschaltvorgänge
• Ideal für das Schalten von Hochspannungs-DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit industriellen Motorantrieben, die hohe Vds erfordern
• Kann für Wechselrichterschaltungen in der Leistungselektronik verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Hochspannungsschaltvorgänge
Welchen Temperaturbereich verträgt er in anspruchsvollen Umgebungen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter einer Vielzahl von thermischen Bedingungen.
Wie wird das Gerät in typischen Designs montiert und gekühlt?
Es verwendet ein TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das Standard-Kühlkörper und Schrauben für Wärmemanagement und Chassisbefestigung aufnimmt.
Welche Gate-Drive-Einschränkungen sollten Entwickler beachten?
Das Gate muss innerhalb von maximal ±20 V gegenüber der Quelle gehalten werden, um Schäden zu vermeiden und den korrekten Betrieb im Enhancement-Modus aufrechtzuerhalten.
Welche Kanalcharakteristiken beeinflussen die Schaltpolarität?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, d. h. es erfordert eine positive Gate-Source-Spannung für die Leitung.
Verwandte Links
- Vishay IRF740 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF740LC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF740A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF710 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 1.2 A 36 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.3 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay D Series Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 6 A 104 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFBG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.1 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 3.6 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB