Vishay IRF740 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0812
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0812
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF740 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF740 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740 von Vishay, 400 V Drain-Quellenspannung, 10 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF740PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für den Einsatz in industriellen Schalt- und Leistungsregelkreisen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das sich für Baugruppen eignet, bei denen eine robuste Montage und einfache Kühlkörper erforderlich sind. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, die eine dauerhafte Strombelastbarkeit und eine hohe Spannungstoleranz erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 400 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen • 10 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung moderater Leistungslasten • 125 W Verlustleistung für zuverlässige thermische Leistung • 550 mΩ RDS(on) ermöglicht eine effiziente Leitung in Schaltrollen • 63 nC typische Gate-Ladung zur Information der Antriebsanforderungen • 20 V maximale Gate-Source-Spannung für Gate-Drive-Marge
Anwendungen
• Geeignet für primäres Schalten von Schaltnetzteilen • Ideal für Motorsteuerungs-Wechselrichterstufen in Automatisierungssystemen • Verwendet für Hochspannungs-Leistungswandler in industriellen Geräten • Kann für das Energiemanagement in Prüf- und Messanlagen verwendet werden
Welche Befestigungsmethode benötigt das Gerät für das Wärmemanagement?
Es handelt sich um eine Durchsteckkomponente in einem TO-220AB-Gehäuse, die bei Bedarf eine direkte Befestigung an Kühlkörpern mit einem Befestigungselement und isolierenden Hardware ermöglicht.
Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und eignet sich daher für eine Vielzahl von Umgebungsbedingungen.
Was sollte bei der Entwicklung des Gate-Antriebs berücksichtigt werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und die typische Gate-Ladung beträgt 63 nC bei VGS, sodass der Treiber ausreichend geladen werden muss und die 20-V-Grenze eingehalten werden muss, um eine Gate-Überlastung zu vermeiden.
Entspricht das Gerät den gängigen Materialstandards für Umweltmaterialien?
Die Komponente entspricht den RoHS-Richtlinien über eingeschränkte gefährliche Stoffe.
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