Vishay IRF740AS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 256-7276
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740ASPBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7276
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740ASPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF740AS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.55Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF740AS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.55Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740AS von Vishay, 400 V Drain-Source-Spannung, 125 W Verlustleistung – IRF740ASPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen ein robustes Schalten hoher Drain-Spannungen erforderlich ist, und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle thermische Umgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 400 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,55 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schaltstufen
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• Typische Gate-Ladung von 36 nC erleichtert kontrollierte Schaltübergänge
• 10-V-Gate-Toleranz eignet sich für gängige Antriebsspannungsarchitekturen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,55 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schaltstufen
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• Typische Gate-Ladung von 36 nC erleichtert kontrollierte Schaltübergänge
• 10-V-Gate-Toleranz eignet sich für gängige Antriebsspannungsarchitekturen
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in industriellen Systemen
• Ideal für Hochspannungsmotor-Treiber-Frontenden
• Wird für die Stromumwandlung in Wechselrichtern für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für Hilfsschienen in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Einsatz in universellen Hochspannungsschaltkreisen
• Ideal für Hochspannungsmotor-Treiber-Frontenden
• Wird für die Stromumwandlung in Wechselrichtern für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für Hilfsschienen in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Einsatz in universellen Hochspannungsschaltkreisen
Welche Gehäusetypen sollte ich in Bezug auf das Board-Layout berücksichtigen?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine Wärmeableitung über die Leiterplatte ermöglicht und größere Stromwege ermöglicht.
Welchen extremen Umgebungstemperaturen kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Der Transistor ist für einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und eignet sich sowohl für Niedertemperaturanlässe als auch für erhöhte thermische Bedingungen.
Wie wirkt sich der Gate-Antrieb auf die Schaltleistung aus?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 36 nC bei einem 10-V-Gate-Treiber sollten Schaltgeschwindigkeit und Gate-Treiber-Stromanforderungen ausgeglichen werden, um Übergangsverluste und EMI zu bewältigen.
Welche Art von Leitfähigkeit nutzt das Gerät zum Schalten?
Er verfügt über einen N-Kanal-Leitungskanal, der je nach Schaltkreistopologie für Low-Side- und High-Side-Anordnungen geeignet ist.
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