Vishay IRF740AS Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7276
Herst. Teile-Nr.:
IRF740ASPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Serie

IRF740AS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.55Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

2V

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRF740AS von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740ASPBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Montage auf Leiterplattenebene geeignet ist, und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 400 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhaften Lastantrieb
• 0,55 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht reaktionsschnelle Schaltübergänge
• Betriebsbereich von ±150 °C unterstützt Umgebungen mit erhöhten Temperaturen

Anwendungen


• Geeignet für Leistungswandler in Automatisierungsgeräten
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Wird für Schaltnetzteile in der Industrieelektronik verwendet
• Kann zum Schalten der Last in Stromverteilungsmodulen verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagementsystemen in rauen Umgebungen

Welches Gehäuse und welche Montageart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?


Er wird in einem oberflächenmontierbaren TO-263-Gehäuse mit drei Stiften für die direkte SMD-Befestigung geliefert.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?


Das Gate muss innerhalb von ±10 V gegenüber der Quelle gehalten werden, um die Gate-Source-Nennleistung zu vermeiden.

Wie verhält es sich thermisch unter kontinuierlicher Last?


Es kann bis zu 125 W ableiten

ist ein geeigneter Kühlkörper oder ein thermisches Board-Design erforderlich, um die Sperrschichttemperatur zu steuern.

Werden bei der Spezifikation Umwelt- oder Zulassungsaspekte berücksichtigt?


Er erfüllt die RoHS-Normen für eingeschränkte Stoffe.

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