Vishay IRF840S N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 178-0872
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 59.10
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.182 | CHF 59.29 |
| 100 - 200 | CHF 1.01 | CHF 50.40 |
| 250 + | CHF 0.949 | CHF 47.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0872
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF840S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF840S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRF840S von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 125 W maximale Verlustleistung - IRF840SPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für Oberflächenmontageanwendungen in Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind, wie z. B. in industriellen Stromversorgungen und Hochspannungsschaltstufen.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine hohe Verarbeitungsleistung
• 850 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• 20-V-Gate-Source-Grenze bietet breite Gate-Drive-Marge
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine hohe Verarbeitungsleistung
• 850 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• 20-V-Gate-Source-Grenze bietet breite Gate-Drive-Marge
Anwendungen
• Geeignet für Schaltstufen der Hochspannungsversorgung
• Ideal für Motor-Treiber-Wechselrichter-Front-Ends
• Einsatz mit Boost-Converter-Topologien in Industrieeinheiten
• Kann für Schaltmodus-Leistungsgleichrichtermodule verwendet werden
• Geeignet für das Schalten von Hochspannungslasten in Prüfgeräten
• Ideal für Motor-Treiber-Wechselrichter-Front-Ends
• Einsatz mit Boost-Converter-Topologien in Industrieeinheiten
• Kann für Schaltmodus-Leistungsgleichrichtermodule verwendet werden
• Geeignet für das Schalten von Hochspannungslasten in Prüfgeräten
Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Montage erforderlich?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf der Leiterplatte konfiguriert ist, wodurch Reflow-Löt- und thermische Verbindungen zu einem Leiterplatten-Kupferbereich möglich sind.
Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?
Die Verbindung ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Umgebungs- und Temperaturschwankungen.
Welche Gate-Drive-Einschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden am Gerät zu verhindern, daher sollten Gate-Drive-Schaltkreise eine geeignete Klemm- oder Füllstandssteuerung umfassen.
Gibt es für dieses Teil Kfz-Qualifikationen?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Automobilstandards entspricht, sodass es nicht als Kfz-Güteklasse für Fahrzeugsicherheitsanwendungen angesehen werden sollte.
Verwandte Links
- Vishay IRF840S Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF740S Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF830A Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 10 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin
- Vishay SiHF840S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8.1 A 125 W, 3-Pin TO-263
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 500 V / 11 A 170 W TO-263
- Vishay IRF840A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB