Vishay IRF840S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 708-4752
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-067
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.715
Auf Lager
- 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.943 | CHF.9.73 |
| 50 - 120 | CHF.1.827 | CHF.9.15 |
| 125 - 245 | CHF.1.754 | CHF.8.76 |
| 250 - 495 | CHF.1.554 | CHF.7.79 |
| 500 + | CHF.1.46 | CHF.7.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4752
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-067
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRF840S | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRF840S | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRF840S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF840AS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 17 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF740S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung / 180 A TO-263