Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 180-8828
Herst. Teile-Nr.:: IRF530SPBF
Marke:: Vishay

Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 180-8828
Herst. Teile-Nr.:: IRF530SPBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	14A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.16Ω
	Durchlassspannung Vf	2.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	88W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.83mm
	Breite	10.67 mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Länge	9.65mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω
	Durchlassspannung Vf 2.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 88W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.83mm
	Breite 10.67 mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Länge 9.65mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 160 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 88 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• erhältlich in Band und Rolle

• Dynamische dV/dt-Bewertung

• Einfache Parallelschaltung

• Schnelles Schalten

• Halogenfrei

• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Repetitive Lawinenausladung

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263

Vishay MOSFET

Eigenschaften und Vorteile

Anwendungen

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