Vishay IRF9530S Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 88 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 145-1593
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-1593
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF9530S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Durchlassspannung Vf | -100V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF9530S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Durchlassspannung Vf -100V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRF9530S Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 88 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin TO-263
- Vishay IRF9Z34 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 18 A 88 W, 3-Pin TO-220
- onsemi N+P Lastschalter Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 8 V Erweiterung / 1.3 A 400 mW, 6-Pin SC-88
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-263
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W TO-263