Vishay IRF9530S Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 88 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 650-4176
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530SPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.687 | CHF.13.45 |
| 50 - 120 | CHF.2.293 | CHF.11.44 |
| 125 - 245 | CHF.2.151 | CHF.10.77 |
| 250 - 495 | CHF.2.02 | CHF.10.10 |
| 500 + | CHF.1.616 | CHF.8.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 650-4176
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9530SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF9530S | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Durchlassspannung Vf | -100V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.02 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF9530S | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Durchlassspannung Vf -100V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.02 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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