Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB120P04P4L03ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.4mm

Breite

9.25 mm

Automobilstandard

AEC-Q

RoHS Status: Nicht zutreffend

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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