Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 826-9204
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB600N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (10 Stück, in einer Packung mit 10)*
CHF 25.65
Auf Lager
- Zusätzlich 530 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF 2.565 | CHF 25.65 |
| 20 - 40 | CHF 2.434 | CHF 24.36 |
| 50 - 90 | CHF 2.333 | CHF 23.34 |
| 100 - 240 | CHF 2.232 | CHF 22.32 |
| 250 + | CHF 2.081 | CHF 20.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9204
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB600N25N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 250 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB600N25N3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen sehr breiten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage konfiguriert, wodurch er eine kompakte Grundfläche für das Wärmemanagement in Baugruppen bietet, bei denen eine robuste Leistungsaufnahme und Gate-Steuerung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 250 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Der Einschaltwiderstand von 60 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb bei hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement in Schaltkreisen
• 22 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie und Antriebsdesign
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungsbereiche
• Der Einschaltwiderstand von 60 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb bei hoher Belastung
• Die Verlustleistung von 136 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement in Schaltkreisen
• 22 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie und Antriebsdesign
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungsbereiche
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltstufen
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterbeine
• Wird für DC/DC-Wandler in Telekommunikations-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladegerättopologie verwendet werden
• Eingesetzt in der universellen Stromversorgungsschaltung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterbeine
• Wird für DC/DC-Wandler in Telekommunikations-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladegerättopologie verwendet werden
• Eingesetzt in der universellen Stromversorgungsschaltung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremen Temperaturschwankungen.
Welcher Gehäusetyp erleichtert die Montage und die Wärmeübertragung?
Er wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das die Lötmontage erleichtert und ein großes Wärmeleitpad für die Wärmeverteilung des Widerstands bietet.
Wie verhält sich das Gerät bei der Gate-Drive-Konstruktion?
Die typische Gate-Ladung von 22 nC liefert eine quantifizierbare Schaltenergie für die Größe der Gate-Treiber und schätzt die Schaltverluste.
Welche Leitungsleistung sollten Konstrukteure unter Last erwarten?
Mit einem maximalen angegebenen Drain-Source-Widerstand von 60 mΩ können Konstrukteure Leitungsverluste für Strompfade bis zum Bemessungsdauerstrom von 25 A berechnen.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin PG-TO252-3