Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
911-0812
Herst. Teile-Nr.:
IPB017N06N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

206nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

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Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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