Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
857-6883
Herst. Teile-Nr.:
IPP120P04P4L03AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS P

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.65mm

Breite

4.4 mm

Normen/Zulassungen

AEC, RoHS

Länge

10mm

Automobilstandard

AEC

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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