Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 168-5935
Herst. Teile-Nr.:: IPP055N03LGXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:: 168-5935
Herst. Teile-Nr.:: IPP055N03LGXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche, Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	31nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd	68W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Länge	10.36mm
	Breite	4.57mm
	Höhe	15.95mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-Transistor
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd 68W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	Länge 10.36mm
	Breite 4.57mm
	Höhe 15.95mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30 V maximale Drain-Source-Spannung - IPP055N03LGXKSA1

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene elektronische Anwendungen, einschließlich Power-Management-Systeme, konzipiert. Er verfügt über ein TO-220-Gehäuse mit den Abmessungen 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm (Through-Hole). Dieses Gerät, das speziell für die Automatisierungs- und Elektroindustrie geeignet ist, gewährleistet optimale Leistung unter harten Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Schnelles Schalten steigert die Effizienz von Leistungsanwendungen

• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand minimiert die Verlustleistung im Betrieb

• Lawinengeprüft für verbesserte Haltbarkeit unter Belastung

• N-Kanal-Design auf Logikebene ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben

• Maximaler Dauerstrom von 50 A unterstützt anspruchsvolle Aufgaben

Anwendungen

• Verwendet für die DC/DC-Wandlung in Stromversorgungen

• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in hocheffizienten Umrichtern

• Erleichtert die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen

• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

• Geeignet sowohl für Unterhaltungselektronik als auch für erneuerbare Energien

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei Leistungsanwendungen?

Ein niedriger RDS(on) verringert den Spannungsabfall im Ein-Zustand, was die Wärmeentwicklung direkt verringert und die Effizienz verbessert. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung bei Hochstromanwendungen und sorgt dafür, dass weniger Energie in Form von Wärme verschwendet wird.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei hohen Temperaturen im Betrieb?

Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C verfügt er über robuste thermische Eigenschaften, die einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen ohne Leistungseinbußen ermöglichen.

Für welche Arten von Anwendungen eignet sich das Enhancement-Mode-Transistor-Design?

Enhancement-Mode-Transistoren werden häufig in Schaltanwendungen eingesetzt, da sie eine hervorragende Kontrolle über den Stromfluss bieten und sich somit ideal für effiziente Power-Management-Lösungen eignen. Dazu gehört die Verwendung in Stromversorgungen und Gleichstrommotoren.