Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 130-0923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP055N03LGXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 130-0923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP055N03LGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30 V maximale Drain-Source-Spannung - IPP055N03LGXKSA1
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene elektronische Anwendungen, einschließlich Power-Management-Systeme, konzipiert. Er verfügt über ein TO-220-Gehäuse mit den Abmessungen 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm (Through-Hole). Dieses Gerät, das speziell für die Automatisierungs- und Elektroindustrie geeignet ist, gewährleistet optimale Leistung unter harten Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Schnelles Schalten steigert die Effizienz von Leistungsanwendungen
• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand minimiert die Verlustleistung im Betrieb
• Lawinengeprüft für verbesserte Haltbarkeit unter Belastung
• N-Kanal-Design auf Logikebene ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• Maximaler Dauerstrom von 50 A unterstützt anspruchsvolle Aufgaben
Anwendungen
• Verwendet für die DC/DC-Wandlung in Stromversorgungen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in hocheffizienten Umrichtern
• Erleichtert die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
• Geeignet sowohl für Unterhaltungselektronik als auch für erneuerbare Energien
Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei Leistungsanwendungen?
Ein niedriger RDS(on) verringert den Spannungsabfall im Ein-Zustand, was die Wärmeentwicklung direkt verringert und die Effizienz verbessert. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung bei Hochstromanwendungen und sorgt dafür, dass weniger Energie in Form von Wärme verschwendet wird.
Wie verhält sich dieser MOSFET bei hohen Temperaturen im Betrieb?
Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C verfügt er über robuste thermische Eigenschaften, die einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen ohne Leistungseinbußen ermöglichen.
Für welche Arten von Anwendungen eignet sich das Enhancement-Mode-Transistor-Design?
Enhancement-Mode-Transistoren werden häufig in Schaltanwendungen eingesetzt, da sie eine hervorragende Kontrolle über den Stromfluss bieten und sich somit ideal für effiziente Power-Management-Lösungen eignen. Dazu gehört die Verwendung in Stromversorgungen und Gleichstrommotoren.
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