Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 130-0923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP055N03LGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.11.82
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.182 | CHF.11.86 |
| 50 - 90 | CHF.1.131 | CHF.11.27 |
| 100 - 240 | CHF.1.081 | CHF.10.79 |
| 250 - 490 | CHF.1.03 | CHF.10.30 |
| 500 + | CHF.0.646 | CHF.6.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP055N03LGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
Höhe 15.95mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 30 V maximale Drain-Source-Spannung - IPP055N03LGXKSA1
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für verschiedene elektronische Anwendungen, einschließlich Power-Management-Systeme, konzipiert. Er verfügt über ein TO-220-Gehäuse mit den Abmessungen 10,36 mm x 4,57 mm x 15,95 mm (Through-Hole). Dieses Gerät, das speziell für die Automatisierungs- und Elektroindustrie geeignet ist, gewährleistet optimale Leistung unter harten Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Schnelles Schalten steigert die Effizienz von Leistungsanwendungen
• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand minimiert die Verlustleistung im Betrieb
• Lawinengeprüft für verbesserte Haltbarkeit unter Belastung
• N-Kanal-Design auf Logikebene ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• Maximaler Dauerstrom von 50 A unterstützt anspruchsvolle Aufgaben
Anwendungen
• Verwendet für die DC/DC-Wandlung in Stromversorgungen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in hocheffizienten Umrichtern
• Erleichtert die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
• Geeignet sowohl für Unterhaltungselektronik als auch für erneuerbare Energien
Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) bei Leistungsanwendungen?
Ein niedriger RDS(on) verringert den Spannungsabfall im Ein-Zustand, was die Wärmeentwicklung direkt verringert und die Effizienz verbessert. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistung bei Hochstromanwendungen und sorgt dafür, dass weniger Energie in Form von Wärme verschwendet wird.
Wie verhält sich dieser MOSFET bei hohen Temperaturen im Betrieb?
Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C verfügt er über robuste thermische Eigenschaften, die einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen ohne Leistungseinbußen ermöglichen.
Für welche Arten von Anwendungen eignet sich das Enhancement-Mode-Transistor-Design?
Enhancement-Mode-Transistoren werden häufig in Schaltanwendungen eingesetzt, da sie eine hervorragende Kontrolle über den Stromfluss bieten und sich somit ideal für effiziente Power-Management-Lösungen eignen. Dazu gehört die Verwendung in Stromversorgungen und Gleichstrommotoren.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 50 A 68 W, 3-Pin
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS -T2 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 55 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON