Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 44 A 136 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
762-982
Herst. Teile-Nr.:
ISC300N20NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.35mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.2mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der OptiMOS 6-Leistungstransistor von Infineon ist ein 200-V-N-Kanal-Gerät, das für effiziente Stromanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine minimale umgekehrte Erholungsladung (Qrr) aus. Darüber hinaus erfüllt es die RoHS-Normen, ist halogenfrei und gemäß J-STD-020 als MSL 1 klassifiziert.

100 % Avalanche-getestet

175 °C Betriebstemperatur

Hohe Lawinenenergie

Bleifreie Bleibeschichtung

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