Vishay IRF840 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6028
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-42-105
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840PBF
- Marke:
- Vishay
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| 100 - 245 | CHF.2.303 | CHF.11.52 |
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- RS Best.-Nr.:
- 281-6028
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-42-105
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRF840 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRF840 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRF840 von Vishay, 500 V Drain-Quellenspannung, 8 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF840PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet über einen breiten Umgebungsbereich und wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Montage und Kühlung in Steuerbaugruppen geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Spannung von 500 V unterstützt Hochspannungs-Schaltanwendungen
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht einen erheblichen Lastantrieb
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 850 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 63 nC typische Gate-Ladung bietet vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V schützt das Gate vor Überantrieb
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht einen erheblichen Lastantrieb
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 850 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 63 nC typische Gate-Ladung bietet vorhersehbares Schaltverhalten
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V schützt das Gate vor Überantrieb
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorsteuerungsstufen
• Wird zum Schalten der Last in Stromverteilungsmodulen verwendet
• Kann für Labor-Hochspannungsprüfgeräte verwendet werden
• Geeignet für diskrete Verstärker- und Wandlerkreise
• Ideal für industrielle Motorsteuerungsstufen
• Wird zum Schalten der Last in Stromverteilungsmodulen verwendet
• Kann für Labor-Hochspannungsprüfgeräte verwendet werden
• Geeignet für diskrete Verstärker- und Wandlerkreise
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann es im Betrieb tolerieren?
Es arbeitet zwischen -55 °C und 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen und erhöhten Anschlussszenarien.
Wie wird es in einem System montiert und gekühlt?
Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine verschraubte Kühlkörperbefestigung für ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht.
Welche Gate-Antriebsbeschränkungen sollten Entwickler beachten?
Der Gate-Antrieb muss innerhalb von ±20 V bleiben, um die maximale Gate-Source-Nennleistung zu vermeiden und die Integrität des Geräts zu erhalten.
Wie bezieht sich die Schaltleistung auf die Gate-Ladung?
Die typische Gate-Ladung von 63 nC bietet Entwicklern eine Grundlage zur Berechnung von Treiberstrom und Schaltübergangszeiten für bestimmte Antriebsspannungen.
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