Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6027
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-16-205
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 1000 Stück)*
CHF.869.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF.0.869 | CHF.873.65 |
| 2000 - 4000 | CHF.0.828 | CHF.824.16 |
| 5000 + | CHF.0.747 | CHF.748.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 281-6027
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-16-205
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.85mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.85mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Leistungs-MOSFETs von Vishay bieten ein schnelles Schalten, eine robuste Bauweise und einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Es ist kostengünstig.
Lawinenbeständig, wiederholt
Schnelles Schalten
Einfache Parallelführung
Verwandte Links
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.3 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 3.6 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage P-Kanal-QFET-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.7 A 85 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay D Series Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8.7 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- ROHM RX3N10BBH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V, 3-Pin JEDEC TO-220AB