Vishay IRFBC30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 3.6 A 74 W, 3-Pin IRFBC30PBF TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0840
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBC30PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.533 | CHF.76.86 |
| 100 - 200 | CHF.1.302 | CHF.65.31 |
| 250 + | CHF.1.229 | CHF.61.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0840
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBC30PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRFBC30 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRFBC30 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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