Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 74 A 200 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.78.75

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
  • Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 22. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.575CHF.78.49
100 - 200CHF.1.491CHF.74.55
250 - 450CHF.1.428CHF.71.40
500 - 950CHF.1.334CHF.66.68
1000 +CHF.1.26CHF.62.79

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
919-4772
Herst. Teile-Nr.:
IRF4905PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

74A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

8.77mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.54mm

Breite

4.69 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 74A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF4905PBF


Dieser MOSFET bietet eine vielseitige Lösung für das Power-Management in verschiedenen industriellen Anwendungen. Es ist auf hohe Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt und daher für Fachleute in der Elektronik- und Elektrobranche unerlässlich. Mit seinen robusten Leistungsmerkmalen verbessert dieses Produkt das Schaltungsdesign und gewährleistet einen optimalen Betrieb in schwierigen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von 74 A unterstützt anspruchsvolle Anwendungen

• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V ermöglicht effektives Power-Management

• Niedriger Einschaltwiderstand von 20 mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Entwickelt als Anreicherungs-MOSFET für präzise Steuerung

• Verwendet ein TO-220AB-Gehäuse für einfache Montage und Integration

Anwendungsbereich


• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur effizienten Leistungsumwandlung

• Ideal für die Motorsteuerung die eine umfangreiche laufende Verwaltung erfordern

• Einsatz in Stromversorgungen für rationellen Betrieb

• Geeignet für Wärmemanagement in Umgebungen mit hoher Belastung

• Einsatz in Automatisierungssystemen für zuverlässiges Schalten

Wie wirkt sich der niedrige Einschaltwiderstand auf das Schaltungsdesign aus?


Der verringerte Einschaltwiderstand minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamtenergieeffizienz und Leistung, was bei Hochstromanwendungen von entscheidender Bedeutung ist.

Welche Bedeutung hat die Verwendung eines TO-220AB-Gehäuses?


Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und ist gleichzeitig einfach zu installieren, was es zu einer bevorzugten Wahl für industrielle Anwendungen macht.

Kann diese Komponente mit hohen Temperaturen umgehen?


Ja, es arbeitet effektiv bei Temperaturen bis zu +175°C und ist für harte Anwendungen geeignet.

Für welche Art von Anwendungen ist der hohe kontinuierliche Drainstrom dieses MOSFETs erforderlich?


Der hohe kontinuierliche Drainstrom eignet sich für Anwendungen wie Motorantriebe, Stromrichter und andere Systeme, die eine robuste Leistungsaufnahme erfordern.

Wie wirkt sich die Gate-Schwellenwertspannung auf die Leistung aus?


Eine Gate-Schwellenspannung von 2V bis 4V sorgt für ein zuverlässiges Schaltverhalten und trägt zu einer präzisen Steuerung in verschiedenen elektronischen Schaltungen bei.

Verwandte Links