Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 34 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3720
Herst. Teile-Nr.:
SQJ504EP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.99mm

Breite

5 mm

Höhe

1.07mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (sowohl N- als auch P-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V. Er verfügt über einen Drain-Source-Widerstand von 17 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 34 W und einen Dauerstrom von 30 A. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität. Es ist in der Automobilindustrie anwendbar.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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