Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 34 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3720
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.99mm | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.99mm | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (sowohl N- als auch P-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V. Er verfügt über einen Drain-Source-Widerstand von 17 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 34 W und einen Dauerstrom von 30 A. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität. Es ist in der Automobilindustrie anwendbar.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
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