Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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Herst. Teile-Nr.:
SQS966ENW-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.1nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

27.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

3.15 mm

Höhe

1.07mm

Länge

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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