Vishay Siliconix SiS110DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 178-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SiS110DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 24W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.15mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SiS110DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 24W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.15mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie SiS110DN von Vishay, 100 V Drain-Source-Spannung, 14,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiS110DN-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagement in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die ein Gleichgewicht zwischen Spannungsaufnahme, Strombelastbarkeit und moderater Gate-Ladung für eine effiziente Steuerung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• Niedriger RDS(on) von 70 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 14,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 24 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 8,5 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Gate-Ansteuerung
• Die Gate-Source-Bewertung von ±20 V bietet eine robuste Gate-Spannungsspanne
• Niedriger RDS(on) von 70 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 14,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 24 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 8,5 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Gate-Ansteuerung
• Die Gate-Source-Bewertung von ±20 V bietet eine robuste Gate-Spannungsspanne
Anwendungen
• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die Low-Side-Schaltung von Motorantrieben
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Ideal für die Low-Side-Schaltung von Motorantrieben
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung
Welchen Temperaturbereich kann ich für einen zuverlässigen Betrieb erwarten?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage und -kühlung?
Er wird in einem kompakten PowerPAK1212-Gehäuse geliefert, das eine flache Oberflächenmontage und eine angemessene Wärmeübertragung auf die Leiterplatte ermöglicht.
Welche Gate-Drive-Bedenken gelten angesichts der Gate-Ladung?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 8,5 nC sollten Gate-Treiber genügend Strom liefern und ableiten, um ohne übermäßige Antriebsverluste mit der gewünschten Geschwindigkeit zu schalten.
Gibt es gesetzliche Beschränkungen für diese Komponente?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe in elektronischen Baugruppen.
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