Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin SiS110DN-T1-GE3
- RS Best.-Nr.:
- 178-3962
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Herst. Teile-Nr.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 24W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 24W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
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