Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 178-3877P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3877P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V. Er verfügt über einen Abflussquellenwiderstand von 240 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 3 W und einen Dauerstrom von 2 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,5 V und 4,5 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
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