Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.2 A 3 W, 3-Pin SQ2337ES-T1_GE3 SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-8076
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2337ES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8076
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2337ES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 314mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.64 mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 314mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.64 mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 290mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 2.2A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 6V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
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