Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.2 A 3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
180-7399
Herst. Teile-Nr.:
SQ2337ES-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

314mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.64 mm

Höhe

1.12mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 290mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 2.2A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 6V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

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