Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.68 A 13.6 W, 6-Pin SQA401EEJ-T1_GE3 SC-70

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Herst. Teile-Nr.:
SQA401EEJ-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

13.6W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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