Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 13.6 W, 6-Pin SQA403EJ-T1_GE3 SC-70

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

CHF.11.025

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 +CHF.0.441CHF.11.05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3897
Herst. Teile-Nr.:
SQA403EJ-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

13.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links