Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.68 A 13.6 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 178-3886P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3886P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET