onsemi FDMS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
178-4251
Herst. Teile-Nr.:
FDMS4D0N12C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Serie

FDMS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

106W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.05mm

Breite

6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie

RDS(ON) = 4,0 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V, ID = 67 A)

RDS(ON) = 8,0 mΩ (typ.) (@ VGS = 6 V, ID = 33 A)

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

MSL1 robustes Gehäusedesign

Anwendungen:

Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Endprodukte:

AC/DC- und DC/DC-Netzteile

Verwandte Links