onsemi FDMS86181 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 124 A 125 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 181-1895
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86181
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 181-1895
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS86181
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 124A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | FDMS86181 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.85mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 124A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie FDMS86181 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.85mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des modernen PowerTrench-Verfahrens mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
Max rDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 44 A
Max rDS(on) = 12 mΩ bei VGS = 6 V, ID = 22 A
ADD
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
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