onsemi FCP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 178-4662
Herst. Teile-Nr.:: FCP125N65S3R0
Marke:: onsemi

onsemi FCP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: FCP125N65S3R0
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	FCP
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	125mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	181W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	16.3mm
	Breite	4.7 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie FCP
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 181W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 16.3mm
	Breite 4.7 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.

700 V @ T_J = 150 °C

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 439 pF)

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 46 nC)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 105 mΩ

Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω

Vorteile:

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringe Schaltverluste

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen:

Computer

Unterhaltungselektronik

Industrieausführung

Endprodukte:

Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole

Telekommunikation/Server

LCD/LED-TV

LED-Beleuchtung / Starter

Adapter

onsemi FCP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 3-Pin TO-220

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