onsemi FCP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 800 Stück)*

CHF.2’352.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1’600 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
800 +CHF.2.94CHF.2’349.48

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
172-3424
Herst. Teile-Nr.:
FCP067N65S3
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

FCP

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.

700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 30 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 277 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationInterner Gate-Widerstand: 7,0 OhmGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 170 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerUnterhaltungselektronikIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVCAutomation

Verwandte Links