onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 186-1280
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB072N65S3
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SuperFET III MOSFET Easy-drive | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 107mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.58mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SuperFET III MOSFET Easy-drive | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 107mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.58mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)
PPAP-fähig
Typ. RDS(ein) = 63 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
PPAP-fähig
Anwendungen
HV DC/DC Wandler
Endprodukte
Integriertes Ladegerät
DC/DC-Wandler
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