onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 186-1537
Herst. Teile-Nr.:: NVHL072N65S3
Marke:: onsemi

onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 186-1537
Herst. Teile-Nr.:: NVHL072N65S3
Marke:: onsemi

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	44A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SuperFET III MOSFET Easy-drive
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	107mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	312W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	82nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	15.87mm
	Höhe	20.82mm
	Breite	4.82 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SuperFET III MOSFET Easy-drive
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 107mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 312W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 15.87mm
	Höhe 20.82mm
	Breite 4.82 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet NVHL072N65S3

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Damit trägt die SUPERFET III MOSFET-Easy-Drive-Serie zur Beherrschung von elektromagnetischen Störungen (EMI) bei und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)

PPAP-fähig

Typ. RDS(ein) = 63 mΩ

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

PPAP-fähig

Anwendungen

HV DC/DC Wandler

Endprodukte

Integriertes Ladegerät

DC/DC-Wandler

onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247

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